平顶山〖房产〗网:SK 海力士【不】再‘落’队 已 开发[出]第 三代 1Z 纳米 DDR4 动(态)随机存『储』

浙江(余姚)地“图

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   ’在美《光、》三星前《后》搞 定 1Znm 工艺的 16Gb DDR4 DRAM [内存]芯片后,SK 海 力〖士〗也终究「跟」上队伍了。

  《昨》日,SK {海力士}宣<告>开『辟实用』第三<代 1Z >纳《米 DDR4 》动“态”随机存储<器(DRAM)。SK 海>力士称,这《款》芯片《完成了》单<一>芯片‘规范内’业“界最”大容量“的 16Gb,在一张”晶圆中能【生】产的{存储量也是}现存<的 DRAM >内(最)大。

  与上一『代 1Y nm 』产【物】对『比,』其产能提{拔}约 27%,『因其无需』卑贱的极紫<外(EUV)>光〖刻加持,〗因【而】更「具」资{源}合作上「风

」广‘州’头「条」网:兆〖易立〗异(603986):业『绩』基“本”见{底 存眷存储}器“价格回”暖带“来”的盈{利}改善

   《该款 1Z 纳》米 DRAM 【还】稳‘定’支《撑》最高 3200Mbps 的“数”据 传[输]速率,这 是 DDR4 规格(内)最高《速率。》功(耗也)明显『进步,与』基【于】第二代 8Gb <产物的雷>同容「量模组对比,」将功《耗降低了》约 40%。

  (特别)是,『第』三〖代产〗物实用前<一>代{生}产「工」艺中向《来没使用过》的新‘原料,将 DRAM ’运“用的”症结要〖素静〗电〖容〗量(Capacitance) 最大[化。另]外, 还【引进了】新的设想<手>艺,进步了【行动稳定性。

  】据(悉,SK 海力)士「第」三<代 10 纳>米【级 DDR4 DRAM 经营年】内{完成批量生}产,{从}来岁最先正〖式〗供给。

  接下来,SK 海[力士]经 营将【第三代 10 】纳<米>级“微细工”程『手』艺 扩[展]到多种运 用领{域,}包【括】下《一》代挪动 DRAM LPDDR5 ‘和’最【高端 DRAM HBM3 】等。

  末了,SK hynix <经营>将 1Znm 【工】艺『扩』展『到种』种 运用,[以下]一代 LPDDR5 挪 动 DRAM、[以]及更快 的 HBM3 《显》存『上。

(原』题‘目题目:SK ’海力“士不再”落【队,已开】辟出<第>三代 1Z “纳”米 DDR4 (动态)随机存{储}器)

济“宁房”产:国(内)首<款商>业化量“产”相变存 储[器]表 态(淮)
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